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FQB25N33TM_F085-VB
N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- TO263；N—Channel沟道,500V；18A；RDS(ON)=192mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQB25N33TM_F085-VB
- 商品编号
- C22389566
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 192mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 206W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.162nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |