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QS6K21TR-VB
N沟道 耐压:40V 电流:3.6A
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- 描述
- SOT23-6；2个N—Channel沟道,40V；3.6A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- QS6K21TR-VB
- 商品编号
- C22389247
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V；72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V；4.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
优惠活动
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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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