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IRF3704SPBF-VB
N沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF3704SPBF-VB
- 商品编号
- C22389194
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 100% 进行单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
应用领域
- 电池开关-DC/DC 转换器