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SI4463DY-T1-E3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:13A
- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4463DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C22389080
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；40mΩ@1.8V；21mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 结温 175 °C
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源
- 照明系统