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SQ2309CES-T1_GE3
汽车级P沟道60 V（D-S）、175 °C MOSFET
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- 描述
- 特性：- TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2309CES-T1_GE3
- 商品编号
- C22382280
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 265pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- PWM应用
- 硬开关和高频电路
- 电源管理