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WNM6001-3/TR
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
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- 描述
- WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM6001-3/TR
- 商品编号
- C239589
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.37pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.33pF |
商品概述
WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001无铅且无卤素。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 导通电阻出色，可承受更高直流电流
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT - 23
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- DC - DC转换器电路
- 电源开关
- 负载开关
- 充电