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SSM3K2615R,LXGF
耐压:60V 电流:2A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 Qualified。 3.3-V gate drive voltage。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 380 mΩ（典型值） (VGS = 3.3V, ID = 0.5A)；RDS(ON) = 330 mΩ（典型值） (VGS = 4.0V, ID = 1.0A)；RDS(ON) = 230 mΩ（典型值） (VGS = 10V, ID = 1.0A)。应用：负载开关。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K2615R,LXGF
- 商品编号
- C22371361
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@3.3V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 3.3 V 栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 380 mΩ（典型值）（@VGS = 3.3 V，ID = 0.5 A）
- RDS(ON) = 330 mΩ（典型值）（@VGS = 4.0 V，ID = 1.0 A）
- RDS(ON) = 230 mΩ（典型值）（@VGS = 10 V，ID = 1.0 A）
应用领域
- 负载开关
- 电机驱动器