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AT45DB021E-SHN-T
2 Mbit 数据闪存（带额外 64 kbit），最低工作电压 1.65V 的 SPI 串行闪存
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- 描述
- 特性：单1.65 V-3.6 V电源。 与串行外设接口 (SPI) 兼容。 支持SPI模式0和3。 支持RapidS™操作。 可对整个阵列进行连续读取。 最高85 MHz
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT45DB021E-SHN-T
- 商品编号
- C22365780
- 商品封装
- SOIC-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 85MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 单1.65V - 3.6V电源供电
- 兼容串行外设接口（SPI）
- 支持SPI模式0和3
- 支持RapidS™操作
- 可对整个阵列进行连续读取
- 最高85 MHz
- 低功耗读取选项最高可达15 MHz
- 时钟到输出时间（tV）最大为6 ns
- 用户可配置页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节（默认）
- 页面大小可在工厂预配置为256字节
- 一个SRAM数据缓冲区（256/264字节）
- 灵活的编程选项
- 字节/页面编程（1至256/264字节）可直接写入主存储器
- 缓冲区写入
- 缓冲区到主存储器页面编程
- 灵活的擦除选项
- 页面擦除（256/264字节）
- 块擦除（2 kB）
- 扇区擦除（32 kB）
- 芯片擦除（2 Mbits）
- 编程和擦除暂停/恢复功能
- 先进的硬件和软件数据保护功能
- 单个扇区保护
- 单个扇区锁定，使任何扇区永久只读
- 128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 64字节由工厂编程，带有唯一标识符
- 64字节用户可编程
- 硬件和软件控制的复位选项
- 符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取
- 低功耗
- 200 nA超深功率-down电流（典型值）
- 3 μA深功率-down电流（典型值）
- 25 μA待机电流（典型值@20 MHz）
- 4.5 mA主动读取电流（典型值）
- 耐久性：每页至少100,000次编程/擦除循环
- 数据保留：20年
- 符合全工业温度范围
- 环保（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项
- 8引脚SOIC（0.150英寸宽和0.208英寸宽）
- 8焊盘超薄DFN（5×6×0.6mm）
- 8球（6×4阵列）晶圆级芯片尺寸封装
- 晶圆形式的裸片