温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
SG1M160120J
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源击穿电压(Vds) | 1200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 617pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥15.67
10+￥13.26
50+￥11.75￥587.5
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
17
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
客服
芯媒体
反馈
收起