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HSH25P20
1个P沟道 耐压:200V 电流:25A
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- 描述
- P沟道,200V/25A350mR
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH25P20
- 商品编号
- C22359323
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品概述
HSH25P15采用先进的沟槽MOSFET技术，可提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷，适用于各种其他应用。 HSH25P15符合RoHS和绿色产品要求， 100% 通过EAS测试，具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
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