温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD65R190C7-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD65R190C7-VB
- 商品编号
- C22357255
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 205nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品特性
- 符合 RoHS 标准
- 低品质因数 (FOM) R_on × Q_g
- 低输入电容 (C_iss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Q_g)
- 雪崩能量额定 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明