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STP18N65M2-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,650V；13A；RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STP18N65M2-VB
- 商品编号
- C22357177
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低品质因数（FOM）：导通电阻Rₒₙ乘以栅极电荷Q₉
- 低输入电容（输入电容Cᵢₛₛ）
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷（栅极电荷Q₉）
- 雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域