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STW32NM50N-VB
1个N沟道 耐压:500V 电流:30A
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- 描述
- TO247；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STW32NM50N-VB
- 商品编号
- C22356990
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
PDFN5×6封装N沟道场效应管。
商品特性
- VDS（V） = 30 V，ID = 95 A
- 10 V时RDS（ON） ≤ 3.6 mΩ（典型值3.5 mΩ）
- 4.5 V时RDS（ON） ≤ 6.5 mΩ（典型值5.0 mΩ）
- 无卤产品。
应用领域
- 电池管理
- 笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡高频负载点同步降压变换器
- 联网直流-直流电力系统
- 负荷开关