TF28F010-90

Intel的28F010 CMOS闪存提供了最具成本效益和可靠性的读写随机访问非易失性存储器替代方案。28F010在熟悉的EPROM技术基础上增加了电擦除和重新编程功能。可以在测试插座、PROM编程插座、子组件测试期间的板上、最终测试期间的系统内以及售后系统中重写存储内容。28F010提高了存储灵活性，同时节省了时间和成本。

28F010是一个1024千比特的非易失性存储器，组织为131,072字节X8位。Intel的28F010提供32引脚塑料DIP或32引脚PLCC和TSOP封装。引脚分配符合JEDEC标准的8位宽EPROM。

扩展的擦除和编程循环能力被设计进Intel的ETOX（EPROM隧道氧化物）工艺技术中。先进的氧化处理、优化的隧道结构和较低的电场结合在一起，使得可靠的循环次数超过了传统的EEPROM。使用12.0V Vpp电源时，28F010可以在快速脉冲编程和快速擦除算法规定的时间范围内完成100,000次擦除和编程循环。

对于需要高性能访问速度、低功耗和抗噪性的系统，Intel的28F010采用了先进的CMOS电路。其65纳秒的访问时间对广泛的微处理器和微控制器来说无需等待状态即可实现性能。当设备未选中时，最大待机电流为100 μA，这可以节省电力。最后，通过Intel独特的EPl工艺实现了最高程度的闩锁保护。地址和数据引脚上的应力高达100 mA（从-1V到Vcc + 0.5V）时可防止闩锁发生。

基于Intel的ETOX工艺技术基础，28F010建立在多年的EPROM经验之上，达到了最高的质量、可靠性和成本效益水平。