商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ | |
| 漏源电流(Idss) | 1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用意法半导体专有的STripFET™技术第七代设计规则，并具有新型栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的RDS(on)。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 超低导通电阻
应用领域
- 开关应用