S34ML08G101TFI200Z
8 Gb, 1-bit ECC, x8 I/O, 3V Vcc NAND Flash Memory
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- 商品型号
- S34ML08G101TFI200Z
- 商品编号
- C22350262
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品概述
Spansion S34ML08G1 8Gb NAND闪存采用3.3V CC供电，具备x8 I/O接口。该文档包含S34ML08G1器件信息，它是由两个S34ML04G1管芯组成的双管芯堆叠。如需详细规格，请参考分立管芯数据手册：S34ML01G1_04G1。
商品特性
- 密度：8Gb（4Gb x 2）
- 架构（每个4Gb器件）：
- 输入/输出总线宽度：8位
- 页面大小：(2048 + 64)字节；64字节为备用区域
- 块大小：64页或(128k + 4k)字节
- 平面大小：每个平面2048块或(256M + 8M)字节
- 器件大小：每个器件2个平面或512MB
- NAND闪存接口：
- 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
- 地址、数据和命令复用
- 供电电压：3.3V器件：Vcc = 2.7V ~ 3.6V
- 性能：
- 页面读取/编程：
- 随机访问：25μs（最大）
- 顺序访问：25ns（最小）
- 编程时间/多平面编程时间：200μs（典型）
- 块擦除/多平面擦除（S34ML04G1）：
- 块擦除时间：3.5ms（典型）
- 页面读取/编程：
- 安全：
- 一次性可编程（OTP）区域
- 电源转换期间禁用硬件编程/擦除
- 附加特性：
- 支持多平面编程和擦除命令
- 支持回写编程
- 支持多平面回写编程
- 支持读取缓存
- 电子签名：
- 制造商ID：01h
- 工作温度：
- 工业级：-40°C ~ 85°C
- 汽车级：-40°C ~ 105°C
- 可靠性：100,000次编程/擦除循环（典型）