- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CY15V108QI-20BFXIT
8Mb串行铁电随机存储器，1024Kx8，浪涌电流控制
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY15V108QI-20BFXIT
- 商品编号
- C22330272
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 | |
| 写周期寿命 | 100000000000万次 | |
| 功能特性 | 软件写保护功能；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 1.71V~1.89V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 8兆位铁电随机存取存储器，逻辑组织为1024K×8
- 近乎无限的耐久性，支持10的15次方次读写操作
- 151年数据保持时间
- 英飞凌即时非易失性写入技术
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 快速串行外设接口
- 频率最高可达20 MHz
- 支持SPI模式0和模式3
- 完善的写保护方案
- 使用写保护引脚实现硬件保护
- 使用写禁止指令实现软件保护
- 支持1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
- 器件ID和序列号
- 制造商ID和产品ID
- 器件ID
- 序列号
- 专用的256字节特殊扇区铁电随机存取存储器
- 专用的特殊扇区写入和读取
- 存储内容可承受最多三次标准回流焊接循环
- 低功耗
- 在20 MHz频率下典型工作电流为1.3 mA
- 典型待机电流为3.5 μA
- 典型深度掉电模式电流为0.90 μA
- 典型休眠模式电流为0.1 μA
- 上电期间典型浪涌电流为1.6 mA
- 低电压工作
- CY15V108Q!：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
- CY15B108Q!：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
- 商业和工业工作温度范围
- 商业工作温度：0°C 至 +70°C
- 工业工作温度：-40°C 至 +85°C
- 封装
- 8引脚网格阵列四边无引线扁平封装
- 8引脚超薄细间距焊盘网格阵列封装
- 符合有害物质限制指令要求
- CY15V108QN-20BFXI
- CZRB3016-G
- CZRB3110-G
- D-436-87CS2705
- D-SOIC-ADAPTER-EVM
- D38999/20FB5SC
- D38999/20FB98PC
- D38999/20FC35SN-U
- D38999/20FC8JC
- D38999/20FD18SB
- D38999/20FD35SB
- D38999/20FD97PN-CGMSS4
- D38999/20FE6HA
- D38999/20FG16PA
- D38999/20FG35SA
- D38999/20FJ43SN
- D38999/20FJ90SA
- D38999/20GC8SN
- D38999/20GC98PN
- D38999/20JB5PA
- D38999/20JB99PA