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AT45DB021E-SSHNHC-T
2-Mbit DataFlash 1.65V 最小 SPI 串行闪存存储器
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT45DB021E-SSHNHC-T
- 商品编号
- C22327876
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 85MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位 |
商品概述
AT45DB021E是一款最小工作电压为1.65V的串行接口顺序访问闪存。它非常适合数字语音、图像、程序代码和数据存储等多种应用。该器件还支持RapidS串行接口，适用于需要高速运行的应用。其2,162,688位存储器组织为1,024页，每页256字节或264字节。除了主存储器外，AT45DB021E还包含一个256/264字节的SRAM缓冲区。该缓冲区可用作额外的系统暂存存储器，并且通过自包含的三步读写操作可以轻松实现EEPROM仿真（位或字节可修改性）。与使用多地址线和并行接口进行随机访问的传统闪存不同，该产品使用串行接口顺序访问其数据。这种简单的顺序访问显著减少了有效引脚数量，简化了硬件布局，提高了系统可靠性，并最大限度地减少了开关噪声。
商品特性
- 单电源供电，电压范围1.65V至3.6V
- 兼容串行外设接口(SPI)，支持SPI模式0和3，支持RapidS操作
- 具备在整个阵列中连续读取的能力
- 工作频率最高可达85MHz，提供低功耗读取选项，频率最高15MHz，最大时钟至输出时间(tV)为6ns
- 用户可配置页面大小，每页256字节或264字节（默认），页面大小可在出厂时预配置为256字节
- 配备一个SRAM数据缓冲区（256/264字节）
- 提供灵活的编程选项，包括字节/页编程（1至256/264字节）直接到主存储器、缓冲区写入、缓冲区到主存储器页编程
- 提供灵活的擦除选项，包括页擦除（256/264字节）、块擦除（2KB）、扇区擦除（32KB）、芯片擦除（2Mb）
- 支持编程和擦除挂起/恢复
- 具备高级硬件和软件数据保护功能，包括单个扇区保护、单个扇区锁定（可将任何扇区永久设为只读）
- 包含128字节一次性可编程安全寄存器，其中64字节由工厂编程为标识符，64字节可由用户编程
- 提供硬件和软件控制的复位选项，支持JEDEC标准制造商和设备ID读取
- 低功耗，典型超深度掉电电流为200nA，典型深度掉电电流为3μA，典型待机电流为25μA（@20MHz），典型主动读取电流为4.5mA
- 耐久性：每页至少100,000次编程/擦除周期
- 数据保持时间：20年
- 符合完整工业温度范围
- 提供绿色（无铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项，包括8引脚SOIC（0.150英寸宽和0.208英寸宽）、8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6mm）、8球（6 x 4阵列）晶圆级芯片尺寸封装，以及晶圆形式的裸片
应用领域
- 数字语音存储
- 图像存储
- 程序代码存储
- 数据存储