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AT45DB021E-SSHNHC-T
2-Mbit DataFlash 1.65V 最小 SPI 串行闪存存储器
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT45DB021E-SSHNHC-T
- 商品编号
- C22327876
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；软件写保护；上电复位 |
商品概述
Adesto AT45DB021E是一款最低工作电压为1.65V的串行接口、顺序访问闪存。它非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB021E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度操作的应用。其2162688位的内存被组织为1024页，每页256字节或264字节。除主内存外，AT45DB021E还包含一个256/264字节的SRAM缓冲区。该缓冲区可用作额外的系统暂存内存，通过一个独立的三步读写操作可以轻松实现E²PROM仿真（位或字节可更改性）。与传统的通过多条地址线和并行接口随机访问的闪存不同，Adesto DataFlash使用串行接口顺序访问其数据。简单的顺序访问显著减少了有效引脚数量，便于简化硬件布局，提高了系统可靠性，最大限度地减少了开关噪声。
商品特性
- 单1.65V - 3.6V电源供电
- 兼容串行外设接口（SPI）
- 支持SPI模式0和3
- 支持RapidS™操作
- 可对整个阵列进行连续读取
- 最高85 MHz
- 低功耗读取选项，最高15 MHz
- 时钟到输出时间（tV）最大为6 ns
- 用户可配置页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节（默认）
- 页面大小可在工厂预配置为256字节
- 一个SRAM数据缓冲区（256/264字节）
- 灵活的编程选项
- 字节/页面编程（1到256/264字节）直接写入主内存
- 缓冲区写入
- 缓冲区到主内存页面编程
- 灵活的擦除选项
- 页面擦除（256/264字节）
- 块擦除（2 kB）
- 扇区擦除（32 kB）
- 芯片擦除（2 Mbits）
- 编程和擦除暂停/恢复功能
- 先进的硬件和软件数据保护功能
- 单个扇区保护
- 单个扇区锁定，使任何扇区永久只读
- 128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 64字节由工厂编程唯一标识符
- 64字节用户可编程
- 硬件和软件控制的复位选项
- 符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取
- 低功耗
- 200 nA超深掉电电流（典型值）
- 3 μA深掉电电流（典型值）
- 25 μA待机电流（典型值，20 MHz）
- 4.5 mA活动读取电流（典型值）
- 耐久性：每页至少100000次编程/擦除周期
- 数据保留：20年
- 符合全工业温度范围
- 环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项
- 8引脚SOIC（0.150英寸宽和0.208英寸宽）
- 8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6mm）
- 8球（6 x 4阵列）晶圆级芯片尺寸封装
- 晶圆形式的裸片
应用领域
- 数字语音存储
- 图像存储
- 程序代码存储
- 数据存储