- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMJS0D9N03CGTWG
NTMJS0D9N03CGTWG
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMJS0D9N03CGTWG
- 商品编号
- C22311026
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 2.2V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.55nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4306pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 243pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 宽安全工作区，改善浪涌电流管理
- 采用先进的LFPAK封装（5×6mm），具有出色的热传导性能
- 超低RDS(on)，提升系统效率
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
- 热插拔应用
- 电机驱动
- 电源负载开关
- 电池管理