- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J
149球NAND闪存与LPDDR4/LPDDR4X多芯片封装
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J
- 商品编号
- C22310684
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；1.06V~1.17V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 采用美光NAND闪存与LPDDR4/LPDDR4X组件
- 符合RoHS标准的环保封装
- 独立的NAND闪存与LPDDR4/LPDDR4X接口
- 节省空间的多芯片封装
- 低电压工作
- 工业级温度范围：-40°C ~ +85°C
- 汽车级温度范围：-40°C ~ +105°C
- 组织架构：x8位宽，页大小为4352字节（4096 + 256字节），块大小为64页，平面数为1
- 核心电压VCC：1.70-1.95V；标称值1.80V
- 超低电压核心与输入/输出电源：VDD1 = 1.70-1.95V；标称值1.80V；VDD2 = 1.06-1.17V；标称值1.1V；VDDQ = 1.06-1.17V；标称值1.10V；或低VDDQ = 0.57-0.65V；标称值0.60V
- 频率范围：2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/引脚）
- 采用16n预取的DDR架构
- 每通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程的读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度（BL = 16， 32）
- 支持定向每存储体刷新，便于并发存储体操作与命令调度
- 集成片内温度传感器以控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 可编程VSS（片上终端电阻）
- MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 TR
- MT53E1G64D4HJ-046 WT:A
- MT53E512M64D2NW-046 WT:B
- MTFC64GBCAQTC-AIT TR
- MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J
- MT53E256M32D1KS-046 AIT:L
- MT53E256M32D1KS-046 AUT:L
- MT62F1G64D4EK-023 AUT:C
- MTB1-10SL61-01
- MTB1-17PAL2-01
- MTB1-20SAL39-2
- MTI-300-6A8G4-DK
- MTLR-WZ700-C
- MTMM-103-04-L-D-152
- MU14BCX
- MUR2X030A10
- MUR2X060A06
- MURF1640CTH
- MURT30010
- MURTA20020R
- MURTA20040R