VS-FB190SA10
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
高电流密度功率MOSFET并联集成于紧凑的高功率模块中，提供了开关性能、坚固设计、极低导通电阻与成本效益的最佳组合。全隔离的SOT-227封装适用于所有商用及工业应用，功耗水平可达约500W以上。其低热阻和易于连接的特性使其在行业内获得广泛认可。
商品特性
- 全隔离封装
- 极低导通电阻
- 完全雪崩额定
- 动态dV/dt额定值
- 低漏极至外壳电容
- 低内部电感
- 针对开关电源应用优化
- 易于使用和并联
- 行业标准外形
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 为工业级设计和认证