- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MR25H128APDFR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 128Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 40MHz | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 写周期寿命 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 掉电/上电保护电路；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 23mA | |
| 待机电流 | 90uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
MR25H128A 是一款 128Kb 磁阻随机存取存储器，其存储阵列逻辑上组织为 16Kx8，采用串行外设接口总线的片选、串行输入、串行输出和串行时钟四线接口。该串行 MRAM 实现了当今 SPI EEPROM 和 Flash 组件中常见的命令子集，使其能够在相同插座中替换这些组件，并在共享的 SPI 总线上互操作。与现有的串行存储器替代方案相比，串行 MRAM 提供了卓越的写入速度、无限的耐久性、低待机和运行功耗以及更可靠的数据保持能力。该器件提供串行 EEPROM 和串行 Flash 兼容的读写时序，无写入延迟，且读写寿命无限。与其他串行存储器不同，读写操作可以在存储器中随机进行，写入操作之间无延迟。MR25H128A 是那些需要使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用的理想存储器解决方案。该器件提供高可靠性的数据存储，工作温度范围选项包括工业级（-40℃ 到 +85℃）、AEC-Q100 Grade 1（-40℃ 到 +125℃）和 AEC-Q100 Grade 3（-40℃ 到 +85℃）。该器件采用 5 mm × 6 mm 8 引脚 DFN 小焊盘封装，与串行 EEPROM、Flash 和 FeRAM 产品兼容。
商品特性
- 无写入延迟
- 无限写入寿命
- 数据保持时间大于 20 年
- 掉电自动数据保护
- 块写保护
- 快速、简单的 SPI 接口，时钟速率高达 40 MHz
- 2.7 至 3.6 伏电源电压范围
- 低电流睡眠模式
- 工业和汽车温度范围
- 采用符合 RoHS 标准的 8 引脚 DFN 小焊盘封装
- 可直接替换串行 EEPROM、Flash、FeRAM
- 提供工业级以及 AEC-Q100 Grade 1 和 Grade 3 选项
- 湿度敏感度等级 MSL-3
应用领域
- 工业控制
- 汽车电子
- 数据记录与存储
- 快速程序存储与检索
- 需要高可靠性的应用