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M5M5W816WG-70HI#BT

8388608位（524288字×16位）CMOS静态RAM

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: M5M5W816WG-70HI#BT
商品编号: C22306596
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	读写时间	70ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	自动掉电功能

商品概述

M5M5W816系列是低压8兆位静态随机存取存储器，采用三菱高性能0.18微米CMOS技术制造，组织形式为524288字×16位。该系列适用于对简单接口、电池操作和电池备份有重要设计要求的内存应用。M5M5W816WG采用CSP（芯片级封装），外形尺寸为7.5毫米×8.5毫米，球矩阵为6×8（48球），球间距为0.75毫米，为减小安装面积和实现印刷电路板布线模式的灵活性提供了最佳解决方案。

商品特性

单2.7~3.6V电源供电
小待机电流：0.1微安（2V，典型值）
无需时钟，无需刷新
数据保持电源电压 = 2.0V
所有输入和输出均与TTL兼容
通过S1#、S2、BC1#和BC2#可轻松进行内存扩展
通用数据输入/输出
三态输出：具备或连接能力
OE可防止输入/输出总线中的数据冲突
工艺技术：0.18微米CMOS
封装：48球7.5毫米×8.5毫米CSP

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	8Mbit
	工作电压	2.7V~3.6V