- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT49H16M36SJ-18:B
576Mb RLDRAM 2
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT49H16M36SJ-18:B
- 商品编号
- C22294506
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 576Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 533MHz | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
商品特性
- 533 MHz DDR 运行（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4 Gb/s 峰值带宽（x36 配置，533 MHz 时钟频率）
- 组织结构：64 Meg x 9、32 Meg x 18 和 16 Meg x 36 I/O
- 8 个存储体
- 缩短的周期时间（533 MHz 下为 15ns）
- 非复用地址（可选地址复用模式）
- SRAM 型接口
- 可编程读取延迟、行周期时间和突发序列长度
- 均衡的读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 用于写入命令的数据掩码
- 差分输入时钟
- 差分输入数据时钟
- 片内延迟锁相环生成时钟沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号
- 32ms 刷新间隔（每个存储体需执行 16K 次刷新；每 32ms 总共必须发出 128K 次刷新命令）
- HSTL I/O（标称 1.5V 或 1.8V）
- 25-60Ω 匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT，1.8V VDD，1.5V 或 1.8V VDDQ I/O
- 片内端接电阻