MR45V064BMAZAATL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
MR45V064B是一款采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性8192字×8位铁电随机存取存储器(FeRAM)。该器件通过串行外设接口进行访问。与静态随机存取存储器(SRAM)不同,该器件的存储单元是非易失性的,无需电池备份来保存数据。该器件没有用于擦除和编程存储单元及块的机制,如各种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)所使用的机制。因此,写周期时间可以等于读周期时间,并且写操作期间的功耗可以显著降低。由于该器件保证每位具有10的12次方次的读写耐受性,并且重写次数可以显著增加,因此MR45V064B可用于各种应用。
商品特性
- 8192字×8位配置(串行外设接口:SPI)
- 单一1.8V至3.6V(典型值3.3V)电源
- 工作频率:40MHz
- 读写耐受性10的12次方次/位
- 数据保留10年
- 保证工作温度范围 -40至85℃(扩展温度版本)
- 封装选项:8引脚塑料小外形封装(P - SOP8 - 200 - 1.27 - T2K)

