CY15B108QI-20BFXA
8Mb低功耗铁电随机存取存储器,串行接口,1024Kx8,浪涌电流控制
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY15B108QI-20BFXA
- 商品编号
- C22278682
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 | |
| 写周期寿命 | 100000000000万次 | |
| 功能特性 | 软件写保护功能;硬件写保护功能;内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 1.8V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
该器件是一款低功耗、8兆位非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器是非易失性的,其读写操作类似于随机存取存储器。它在提供可靠数据保留的同时,消除了由串行闪存、电可擦可编程只读存储器和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和电可擦可编程只读存储器不同,该器件以总线速度执行写操作,没有写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据会立即写入存储器阵列。下一个总线周期可以立即开始,无需数据轮询。此外,与其他非易失性存储器相比,该器件具有更高的写入耐久性,能够支持10的15次方次读写周期。 这些能力使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。这些能力使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。
商品特性
- 8兆位铁电随机存取存储器,逻辑组织为1024K × 8位
- 几乎无限的耐久性,支持10的15次方次读写
- 151年数据保留
- 即时非易失性写入技术
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 高速串行外设接口,频率最高可达20兆赫兹,支持串行外设接口模式0和模式3
- 复杂的写保护方案,包括硬件写保护引脚保护和软件写禁用指令保护,以及针对部分或整个阵列的软件块保护
- 器件标识和序列号,包括制造商标识、产品标识和器件标识
- 专用的256字节特殊扇区铁电随机存取存储器,其存储内容可承受多次标准回流焊接循环
- 低功耗,典型工作电流为1.3毫安,待机电流为3.5微安,深度掉电模式电流为0.90微安,休眠模式电流为0.1微安,上电浪涌电流为1.6毫安
- 低电压工作,工作电压范围分别为1.71伏至1.89伏和1.8伏至3.6伏
- 商业和工业工作温度范围,商业级为0摄氏度至正70摄氏度,工业级为负40摄氏度至正85摄氏度
- 封装形式包括8引脚网格阵列四侧无引脚扁平封装和8引脚超薄细间距焊盘网格阵列封装
- 符合有害物质限制规定
应用领域
- 数据收集
- 工业控制
- CY15B108QI-20BFXI
- CY15V104QN20BFXITXUMA1
- CY15V108QN-20BFXIT
- CY15V108QN-40BFXIT
- CZRB3047-G
- D-609-06CS2603
- D3087-98
- D38999/20FC35SN
- D38999/20FD19SN
- D38999/20FD5SB
- D38999/20FE35PN
- D38999/20FE6PN
- D38999/20FE8HB
- D38999/20FE99SB
- D38999/20FF11HN
- D38999/20FG39SN
- D38999/20FJ4SC
- D38999/20GG41PC
- D38999/20GH53SN
- D38999/20GJ61PC
- D38999/20JA35PN

