商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | - | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过流保护(OCP);短路保护(SCP);过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 使能关断 |
商品概述
AOZ5278QI是一款通用智能功率级(SPS),由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成,适用于高电流、高频DC-DC转换器。AOZ5278QI提供一个输出电压信号(IMON),该信号以5mV/A的增益表示实时模块电流。IMON信号可直接用于替代多相电压调节器系统中的电感DCR感应或电阻感应,无需温度补偿。AOZ5278QI还包括一个精确的模块温度监测器(TMON)。TMON是一个电压源信号,增益为8mV/℃。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端(HS)MOSFET经过优化,以实现低电容和栅极电荷,从而在低占空比操作下实现快速开关。低端(LS)MOSFET具有超低导通电阻,以最小化传导损耗。标准的5mm×6mm QFN封装经过优化设计,可最小化寄生电感,减少EMI干扰。
商品特性
- 3V至20V电源供电范围
- 30V高端MOSFET提供更好的系统耐用性
- 55A连续输出电流
- 脉冲10ms时可达100A
- 脉冲10μs时可达150A
- 针对高达1MHz的开关频率进行优化
- 集成电流监测器(5mV/A),在不同温度下精度为5%
- 集成温度监测器(8mV/℃),精度为2%
- 故障指示器
- VCC欠压锁定(UVLO)
- VIN欠压锁定(UVLO)
- 高端MOSFET过流和短路保护
- 零电流检测功能(ZCD)
- 过温保护(OTP)
- 标准QFN5x6 - 39L封装
应用领域
- 服务器系统
- 高端CPU/GPU功率级
- 通信基础设施

