MSM5412222B-25TK-MTL

LAPIS半导体公司的MSM5412222B是一款高性能的3兆位、256K×12位的场存储器。它专为高速串行访问应用而设计，如高清电视、传统NTSC电视、录像机、数字电影和多媒体系统。MSM5412222B是一款专门用于普通商品电视和录像机的宽端或低端铁电随机存取存储器（FRAM）。MSM5412222B并非为医疗系统、需要长期图像存储的专业图形系统、数据存储系统等其他用途或高端应用而设计。两个以上的MSM5412222B可以直接级联，级联的MSM5412222B之间无需任何延迟设备。（MSM5412222B的级联可提供更大的存储深度或更长的延迟）。

每个12位平面都有独立的串行写入和读取端口。这些端口采用独立的控制时钟，以支持异步读写操作。它还支持不同的时钟速率，允许写入和读取数据流之间采用不同的数据速率。

MSM5412222B提供高速先进先出（FIFO）操作，无需外部刷新：MSM5412222B会自动刷新其动态随机存取存储器（DRAM）存储单元，因此对用户来说它看起来完全是静态的。此外，全静态类型的存储单元和用于串行访问的解码器实现了无刷新串行访问操作，因此只要电源开启，串行读写控制时钟可以在任意时长内保持高电平或低电平。特殊的仲裁逻辑可防止内存访问和刷新操作的内部冲突。

MSM5412222B的功能简单，类似于一个数字延迟设备，其延迟位长度可通过复位时序轻松设置。延迟长度，即写入和读取之间的读取延迟时钟数，由外部控制的写入和读取复位时序决定。

额外的静态随机存取存储器（SRAM）串行寄存器，或256×12位的初始访问行缓冲器，可在写入或读取复位时序之后实现无时钟延迟的高速首位访问。

此外，MSM5412222B具有写入掩码功能或输入使能功能（IE），以及读取数据跳过功能或输出使能功能（OE）。写入使能（WE）和输入使能（IE）之间，以及读取使能（RE）和输出使能（OE）之间的区别在于，当连续向MSM5412222B施加读写时钟时，WE和RE可以停止串行读写地址递增，但IE和OE不能停止递增。输入使能（IE）功能允许用户仅向存储器的选定位置写入数据，而其余存储器内容保持不变。这有助于在电视屏幕上实现“画中画”的数据处理。

MSM5412222B在操作和功能上与LAPIS半导体公司的1兆位场存储器MSM514222C和2兆位场存储器MSM518222A相似。三个MSM514222C或一个MSM514222C加一个MSM518222A可以简单地用一个MSM5412222B替换。

• 单电源：5.0V±0.5V
• 262,214字×12位
• 快速先进先出（FIFO）操作
• 高速异步串行访问
• 读写周期时间20ns/25ns
• 访问时间18ns/23ns
• 直接级联能力
• 写入掩码功能（输入使能控制）
• 数据跳过功能（输出使能控制）
• 自刷新（无需刷新控制）
• 封装选项：44引脚400密耳塑料薄型小外形封装（TSOP）（类型2）（TSOP(2)44 - P - 400 - 0.80 - K）（产品：MSM5412222B - xxT3 - K），xx表示速度等级

• 高清电视
• 传统NTSC电视
• 录像机
• 数字电影
• 多媒体系统