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商品参数
参数完善中
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压,最大1.0V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 静电放电(ESD)防护高达2kV
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 开关应用。
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