CY15B104QN-20BFXIT

4-Mb低功耗铁电随机存取存储器，串行接口，512Kx8，工业级

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B104QN-20BFXIT
商品编号: C22208001
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	工作状态指示

商品概述

EXCELON LP CY15X104QN是一款低功耗、4兆位非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器是非易失性的，其读写操作类似于随机存取存储器。它在提供151年可靠数据保留的同时，消除了串行闪存、电可擦可编程只读存储器和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和电可擦可编程只读存储器不同，CY15X104QN以总线速度执行写操作，没有写入延迟。数据在每个字节成功传输到器件后立即写入存储器阵列。下一个总线周期可以立即开始，无需数据轮询。此外，该产品相比其他非易失性存储器提供了极高的写入耐久性。CY15X104QN能够支持10的15次方次读写周期，其写入周期比电可擦可编程只读存储器多1000兆倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。该器件采用高速串行外设接口总线，增强了铁电存储器技术的高速写入能力。器件包含只读的设备标识和标识功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的标识。该器件还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

商品特性

4兆位铁电随机存取存储器，逻辑组织为512K×8
几乎无限的耐久性，达1000兆次读写周期
151年数据保留
即时非易失性写入技术
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口
频率高达50兆赫兹
支持串行外设接口模式0和模式3
完善的写保护方案，包括硬件写保护引脚保护和软件写禁用指令保护
软件块保护，可保护四分之一、二分之一或整个阵列
设备标识和序列号，包含制造商标识、产品标识和标识
专用的256字节特殊扇区铁电随机存取存储器，其存储内容可承受最多三次标准回流焊周期
低功耗，40兆赫兹下典型工作电流为2.4毫安，典型待机电流为2.3微安，典型深度掉电模式电流为0.70微安，典型休眠模式电流为0.1微安
低电压操作，CY15V104QN工作电压为1.71伏至1.89伏，CY15B104QN工作电压为1.8伏至3.6伏
商业和工业工作温度范围，商业级为0摄氏度至正70摄氏度，工业级为负40摄氏度至正85摄氏度
封装选项包括8引脚小外形集成电路封装、8引脚网格阵列四边无引线扁平封装和8引脚超薄细间距焊盘网格阵列封装
符合有害物质限制规定

应用领域

数据采集
工业控制

数据手册PDF

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