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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 超低导通电阻
- P沟道MOSFET
- SOT-23封装尺寸
- 低外形(<1.1mm)
- 提供卷带包装
- 快速开关