- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLS18160A-18WBLI
288Mb 独立 I/O RLDRAM 2 内存，533MHz DDR 操作
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- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLS18160A-18WBLI
- 商品编号
- C22200766
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067 Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533 MHz时钟频率下为x18）
- 缩短周期时间（在533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（可选地址复用）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0℃ to +95℃）；工业级（TC = -40℃ to +95℃；TA = -40℃ to +85℃）
- IS49NLS18160A-25EWBLI
- IS49RL18640-107EBL
- ISL28006FH-100EVAL1Z
- ISL5961EVAL2
- ISL80510EVAL1Z
- ITA-1710-01A1E
- IW-G27D-SCQM-4L004G-E016G-ACJ
- IX40G-A-10S-CVL2(7.0)
- IXD1415BB087R-G
- IXD1415CC16ER-G
- IXD1415CC26ER-G
- IXD1415FF01MR-G
- IXD1415GG01MR-G
- IXD1415HH597R-G
- J035-L1C17650S
- J035-L1C18400R
- J036-L1C1GRN0T
- J036-L1C1PCA0Q
- JA06A-20-29P-J1-EB-RK
- JA06A-32-17S-J1-R
- JA3102A-32-J2010-10SC-R