- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49RL18320A-093EBL
576Mb:X18,X36 RLDRAM3
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49RL18320A-093EBL
- 商品编号
- C22148699
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.28V~1.42V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
商品特性
- 1200 MHz DDR操作（2400 Mb/s/球数据速率）
- 组织形式：32 Meg x 18和16 Meg x 36通用I/O（CIO），16个存储体
- 1.2V中心端接推挽式I/O
- 2.5V V_EXT，1.35V V_DD，1.2V V_DDQ（仅2400操作时可选1.35V V_DDQ）
- 缩短的周期时间（t_RC（MIN） = 6.67 - 8ns）
- SDR寻址
- 可编程的读写延迟（RL/WL）和突发长度
- 写命令的数据掩码
- 差分输入时钟（CK，CK#）
- 自由运行的差分输入数据时钟（DKx，DKx#）和输出数据时钟（QKx，QKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和差分输出数据时钟信号
- 64ms刷新（每64ms 128K刷新）
- 40Ω或60Ω匹配阻抗输出
- 集成片上终端（ODT）
- 单存储体或多存储体写入
- 扩展工作范围（200 - 1200 MHz）
- 读训练寄存器
- 复用和非复用寻址能力
- 镜像功能
- 输出驱动器和ODT校准
- 封装后修复 - 每半个存储体1行
- JTAG接口（IEEE 1149.1 - 2001）
- ISL23328TFRUZ-TK
- ISL28290EVAL1Z
- ISL28433TSSOPEVAL1Z
- IXD1415AAE6ER-G
- IXD1415CC10MR-G
- IXD1415CC21MR-G
- IXD1415CC31MR-G
- IXD1415CC34ER-G
- IXD1415CC78MR-G
- IXD1415CCB6ER-G
- IXD1415DD01MR-G
- IXD1415DD22ER-G
- IXD1415GG21ER-G
- IXD1415GG38ER-G
- IXD1415GGB1ER-G
- IXD1504A141NR-G
- IXD1504A1617R-G
- IXD1504A191MR-G
- IXD1504A2417R-G
- IXD1504A251MR-G
- J-240-350