MD27C64-25/B
64K(8Kx8)CHMOS可擦除PROM
- 商品型号
- MD27C64-25/B
- 商品编号
- C22144498
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
英特尔M27C64是一款仅需5V供电的65,536位紫外线可擦除且电可编程只读存储器(EPROM)。M27C64采用先进的CHMOS II - E电路,适用于要求低功耗、高性能速度和抗噪声的系统。与典型的64K EPROM相比,M27C64功耗极低。最大工作电流为25 mA,最大待机电流仅为140 μA。待机模式可在不增加访问时间的情况下降低功耗。M27C64还设计了一些先进功能,如快速脉冲编程、智能编程算法和智能识别模式,可实现快速可靠的编程。双线控制和JEDEC批准的28引脚封装是英特尔所有高密度EPROM的标准特性,便于微处理器接口连接,在升级、添加或选择非易失性存储器时可减少设计工作量。通过英特尔独特的EPI处理,可实现最高程度的闩锁保护,在地址和数据引脚上承受高达100 mA的应力,电压范围从VCC - 0.5V到VCC + 0.5V。
商品特性
- 快速访问时间:M27C64 - 20为200 ns,M27C64 - 25为250 ns,M27C64 - 35为350 ns
- CHMOS II - E技术
- 极低功耗:最大工作电流25 mA,最大待机电流140 μA
- 双线控制
- 快速编程:智能编程算法、快速脉冲编程算法
- 智能识别模式
- 自动编程操作
- 与M2764A兼容
- 最大抗闩锁能力
- MD801-007-16M13-3PF
- MD801-007-16M5-3SE
- MD801-007-16M8-13SD
- MD801-009-07MT10-26SA
- MD801-009-07NF13-37PC
- MD801-009-07NF13-3SA
- MDD56-08N1B
- MDMA110P1600TG
- MDNA700P2200CC
- MEM3745-128CF-C
- MF25S-WRF02-0203
- MFM-05-24
- MH10BCX-BOTTLE
- MHB2-5/3/3-4A11
- GCJ216R72A222MA01J
- GCJ21BL8YA224MA01L
- GCJ21BR71E104MA01L
- GCJ21BR71E274KA01K
- GCJ21BR71E824KA12L
- GCJ21BR71H223MA01L
- GCJ21BR71H474MA12L

