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IS25LX256-JHLA3引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS25LX256-JHLA3

256/128Mb串行闪存存储器,八进制I/O,xSPI接口,带片上ECC,200MHz(1.8V),133MHz(3.0V)

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品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS25LX256-JHLA3
商品编号
C22128311
商品封装
TFBGA-24(8x6)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量256Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
待机电流10uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+125℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护

商品概述

IS25LX256/128和IS25WX256/128串行闪存存储器在简化引脚数量的封装中提供了具有高灵活性和高性能的通用存储解决方案。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。该器件符合JEDEC标准xSPI(扩展串行外设接口)。非易失性和易失性配置寄存器可分别实现默认和临时设置,如读取操作空周期和回绕模式、内存保护、输出缓冲器阻抗、SPI协议类型和XIP模式。内存组织为统一的128KB扇区、4KB和32KB子扇区以及256字节页面,也支持可选的64KB扇区。该器件包括一个可永久锁定的64字节OTP区域。在八进制DDR协议中直接启动可提供高性能和易用性,使主机和器件之间无需配置扩展SPI协议操作即可进行通信。不过,该器件仍支持扩展SPI和八进制DDR协议,以确保对旧系统的支持和轻松迁移路径。扩展SPI协议根据命令在一条或八条数据线上支持地址和数据传输。由于其命令仅通过DQ0发送,因此在扩展SPI中支持XIP功能。八进制DDR协议中的信息始终通过八条数据线在时钟的上升沿和下降沿进行传输。在访问单元阵列(读取/编程)时,DDR模式下的最小传输数据大小为2字节,因此起始地址的LSB必须始终为“0”。大多数旧的x1 SPI命令都受支持,但只需要一个时钟周期,因为命令在时钟的上升沿和下降沿都被锁存。在八进制DDR协议中,地址周期固定为来自闪存阵列的4字节(32位)操作。主机在向存储器进行输入操作时无需驱动DQS。向存储器的数据输入(DQ)仍然依赖时钟(C)来锁存所有地址和数据操作。由于命令解码的关键时序,大多数寄存器输出需要空时钟周期。借助DQS进行输出数据锁存,空时钟的数量对主机是透明的。暂停和恢复命令提供了暂停和恢复编程/擦除操作的能力。在可选器件(选项L)中,读写操作允许在特定存储体进行编程或擦除操作时,从三个存储体之一开始读取操作,而不会中断编程或擦除操作。有三种数据完整性检查功能:ECC用于防止存储数据出错;地址奇偶校验仅用于防止八进制DDR模式下的地址传输错误;编程阵列数据CRC(数据奇偶校验)仅用于防止八进制DDR模式下的数据传输错误。仅在读取操作中支持可选的PSC(相移时钟),用于偏移DQS信号,在八进制DDR模式下,该信号相对于主时钟(C)相移,以便控制器将DQS信号置于有效数据窗口内。

商品特性

  • 行业标准串行接口
  • IS25LX256:256Mbit/32Mbyte
  • IS25LX128:128Mbit/16Mbyte
  • IS25WX256:256Mbit/32Mbyte
  • IS25WX128:128Mbit/16Mbyte
  • 符合JEDEC标准xSPI(扩展SPI)
  • 协议:扩展SPI(1S-xy-xy),八进制DDR(8D-8D-8D)
  • 高性能
  • 支持高达以下的时钟频率:
  • IS25WX(1.8V):SDR - 166MHz,DDR - 200MHz
  • IS25LX(3.0V):SDR /DDR - 133MHz
  • 就地执行(XIP)
  • 每16字节边界进行2位检测和1位纠错(带ECC)
  • 支持编程阵列数据CRC/地址奇偶校验功能
  • 支持可选的PSC(相移时钟),用于将DQS置于读取数据有效窗口的中心
  • 用于训练操作的数据学习模式
  • 超过100,000次擦除/编程循环
  • 超过20年的数据保留时间
  • 安全和写保护
  • 每个128KB扇区的易失性和非易失性锁定以及软件写保护
  • 密码保护
  • 硬件写保护:非易失性位(BP [3:0]和TB)定义受保护区域大小
  • 高效的读取和编程模式
  • 输入数据格式:SPI:1字节命令 + 3/4字节地址;八进制:2字节命令 + 4字节地址
  • 编程/擦除暂停操作
  • 128KB扇区擦除和4KB/32KB子扇区擦除
  • 宽温度范围下的低功耗
  • 单电压供电:IS25LX:2.70V至3.60V;IS25WX:1.70V至2.0V
  • 10μA待机电流
  • 1μA深度掉电
  • 温度等级:扩展:-40°C至+105°C;自动A3等级:-40°C至+125°C
  • 灵活高效的内存架构
  • 用于读写同时操作(RWW)的4存储体架构
  • 每页编程1至256字节
  • 主存储器外的专用64字节OTP区域
  • 硬件特性
  • C输入:串行时钟输入
  • DQ0 - DQ7:串行数据输入和输出
  • RESET#:硬件复位引脚
  • DQS:数据选通信号
  • ERR#:错误指示信号
  • W#:可选写保护信号
  • 电子签名
  • JEDEC标准3字节签名
  • 扩展设备ID:两个额外字节标识设备工厂选项
  • 配置
  • SDR x1模式启动
  • DDR x8模式启动
  • 行业标准引脚排列和封装
  • H = 24球TFBGA 6x8mm(5x5球阵列)
  • KGD(联系工厂)
  • 无卤,符合RoHS和TSCA标准

数据手册PDF