MX63U1GC12HAXMI01
162-Ball MCP（多芯片封装）SLC NAND Flash和LPDDR2
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX63U1GC12HAXMI01
- 商品编号
- C22099942
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- NAND闪存特性：低功耗、高可靠性
- 工作温度：30℃至 +85℃、40℃至 +85℃
- 封装：162球FBGA - 8.0mm×10.5mm，1.0mm（最大高度），0.5mm间距
- 1G位/2G位/4G位SLC NAND闪存：总线为x8/x16；8位ECC SLC NAND闪存页大小（x8总线为(2048 + 112)字节，x16总线为(1024 + 56)字）、块大小（x8总线为(128K + 7K)字节，x16总线为(64K + 2K)字）；4位ECC SLC NAND闪存页大小（x8总线为(2048 + 64)字节，x16总线为(1024 + 32)字）、块大小（x8总线为(128K + 4K)字节，x16总线为(64K + 2K)字）；平面大小（1Gb为1024块/平面×1，2Gb为1024块/平面×2，4Gb为2048块/平面×2）
- 符合ONFI 1.0标准
- 用户冗余：8位ECC SLC NAND闪存每页附加112字节；4位ECC SLC NAND闪存每页附加64字节
- 快速读取访问：阵列到寄存器延迟25微秒，顺序读取25纳秒
- 支持缓存读取
- 页编程操作：页编程时间典型值320微秒
- 支持缓存编程
- 块擦除操作：块擦除时间典型值1.0毫秒
- 单电压操作：VCC为1.7 - 1.95V
- 低功耗：最大30毫安（1.8V），读写/编程/擦除时的工作电流
- 睡眠模式：最大待机电流50微安
- 支持唯一ID读取（ONFI）
- 支持安全OTP
- 电子签名（5个周期）
- 高可靠性：8位ECC SLC NAND闪存耐久性典型值100K周期（每(512 + 28)字节有8位ECC）；4位ECC SLC NAND闪存耐久性典型值100K周期（每(512 + 16)字节有4位ECC）