- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GD9FS8G8E3ALGJ
4G-bit/8G-bit/16G-bit 2K+64B Page Size
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD9FS8G8E3ALGJ
- 商品编号
- C22075032
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 写周期寿命 | - | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 单层单元技术
- 兼容 ONFI 1.0
- 电源电压
- VCC/VCCQ = 1.7 ~ 1.95v (GD9FS)
- VCC/VCCQ = 2.7 ~ 3.6v (GD9FU)
- 存储单元组织
- 页大小：
- X8：2K + 64字节
- X16：1K + 32字
- 块大小：64页
- X8：128K + 4K字节
- X16：64K + 2K字
- 平面大小：2048块
- 器件容量：
- 4Gb：4096块
- 8Gb：8192块
- 16Gb：16384块
- 页大小：
- 页读取/编程时间
- 随机读取时间 (tR)：最大 25us
- 顺序访问时间
- 3.3v 器件：最小 20ns
- 1.8v 器件：最小 25ns
- 页编程时间 (tPROG)：典型 300us
- 块擦除
- 块擦除时间 (tBERS)：典型 3ms
- 工作电流
- 读取（典型）：15mA
- 编程（典型）：15mA
- 擦除（典型）：15mA
- GEN-DR100-P40
- GF0LAC-P07QC00-0000
- GI-7DL-CCT85-ES4
- GJ4216C81E104MA01D
- GJM0225C1C1R0CB01L
- GJM0225C1C2R6CB01L
- GJM0225C1C6R6BB01L
- GJM0225C1C8R6WB01L
- GJM0225C1C9R9BB01L
- GJM0225C1E6R6WB01L
- GJM0225G1E5R3BB01L
- GJM0225G1E6R5WB01L
- GJM0225G1E8R2CB01L
- GJM0225G1E8R4WB01L
- GJM0225G1E9R9CB01L
- GJM0335C1E100GB01J
- GJM0335C1E220GB01J
- GJM0335C1E5R6WB01J
- GJM0335C1E8R5BB01J
- GJM0335C1ER80WB01J
- GJM0335C1H1R1CB01J