温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MASTERGAN4LTR

600 V半桥增强模式氮化镓高电子迁移率晶体管与高压驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: MASTERGAN4LTR
商品编号: C22071978
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MASTERGAN4L是一款先进的功率系统级封装产品，采用半桥配置集成了一个栅极驱动器和两个增强型氮化镓（GaN）晶体管。集成的功率GaN晶体管的RDS(ON)分别为225 mΩ，漏源极阻断电压为650 V，而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成的自举二极管轻松供电。 MASTERGAN4L具备VCC欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作，互锁功能可避免出现直通导通情况。输入引脚的扩展范围便于与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松接口。 MASTERGAN4L可在-40℃至125℃的工业温度范围内工作。该器件采用紧凑的9x9 mm QFN封装。

商品特性

集成半桥栅极驱动器和高压功率GaN晶体管的600 V系统级封装
2F N⊗x⊗x 1 mm封装
RDS(ON)=225 mΩ
IDS(MAX)=6.5 A
反向电流能力
零反向恢复损耗
VCC欠压锁定（UVLO）保护
内部自举二极管
互锁功能
用于关断功能的专用引脚
精确的内部时序匹配
3.3 V至15 V兼容输入，具备迟滞和下拉功能
过温保护
减少物料清单
非常紧凑且简化的布局
灵活、简便且快速的设计

应用领域

包括LLC、LCC和谐振反激式在内的高频谐振转换器
有源钳位反激式转换器
开关模式电源
充电器和适配器
功率因数校正（PFC）、高压DC-DC和DC-AC转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

5.1折

购买数量

(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交1单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	22mA
	拉电流(IOH)	22mA
	工作电压	4.75V~9.5V
	下降时间(tf)	10ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	45ns
	传播延迟 tpHL	45ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V
	输入低电平(VIL)	1.45V
	静态电流(Iq)	680uA