商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 采用最低品质因数的LD - MOS技术：RDS(ON) = 65mΩ，以最小化导通损耗
- Qg = 2.5nC，实现超快速开关
- VGS(TH) 典型值为 - 0.6V，实现低开启电位
- 采用尺寸为1.0mm×1.0mm的CSP封装
- 高度为0.62mm，实现低外形设计
- 栅极具有3kV HBM ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
- DMX-8A
- DN-93601-U/Y
- LJT06RT-15-35P(014)
- LJT06RT-23-2P(408)
- LJT06T-17-35PA(014)
- LJT07RE-15-35P
- LJT07RE-17-26S(014)
- LJT07RE-21-11S(023)
- LJT07RP-25-61S(014)
- LJT07T-11-5S
- DPJ50XS1800NA
- DPX2-41657-4-02
- DR100D254P22
- DR254D254P12M
- DS-980GL-U3A1E
- DS04-7P-059
- DS07-3S-2044
- DS1075M-60N
- DSEP2X25-12C
- DTS20F11-02SA
- DTS20F11-99SB3028