商品参数
参数完善中
商品概述
AOT296L/AOB296L采用了沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)、Ciss和Coss组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- RDS(on)1最大为25 mΩ。（VGS = 10 V，ID = 15 A）
- RDS(on)2最大为36 mΩ。（VGS = 4.5 V，ID = 15 A）
- Ciss典型值为1380 pF。（VDS = 10 V，VGS = 0 V）