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串行外设接口NAND闪存为嵌入式系统提供了一种基于行业标准NAND闪存核心、具有高成本效益和高密度的非易失性存储解决方案。它是串行外设接口NOR闪存和标准并行NAND闪存的一个有吸引力的替代方案，并具备先进特性。总引脚数为8个，包含电源和地引脚。密度为1Gb。与串行外设接口NOR闪存相比，具有更优越的写入性能和每比特成本。与并行NAND闪存相比，成本显著降低。这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准串行外设接口，并且在不同密度产品间保持相同的引脚排列。其指令集类似于常见的串行外设接口NOR闪存指令集，并经过修改以处理NAND特定的功能，同时增加了新特性。该串行外设接口NAND闪存易于集成，其特定设计特性有助于简化主机管理：用户可选的内部纠错码。在页编程操作期间内部生成纠错码校验位。当一页数据被读取到缓存寄存器时，会进行纠错码校验，并在必要时纠正错误。即使启用了内部纠错码，64字节的备用区域仍然可用。设备会输出纠正后的数据并返回纠错码错误状态。支持带内部纠错码的内部数据移动或复制回操作。设备可以轻松刷新并管理垃圾回收任务，无需将数据移入或移出。支持带内部纠错码的上电读取。设备在上电后将自动读取第一个块的第一页到缓存中，之后主机可以直接从缓存中读取数据以方便启动。当启用纠错码时，内部纠错码确保数据正确。它以页为单位进行编程和读取，以块为单位进行擦除。数据以页为单位，在NAND闪存存储阵列与数据寄存器及缓存寄存器之间传输。缓存寄存器最靠近输入输出控制电路，充当输入输出数据的数据缓冲区；数据寄存器最靠近存储阵列，充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器，支持页和随机数据的读取、写入以及复制回操作。这些设备还使用一个串行外设接口状态寄存器来报告设备操作状态。

• 1Gb SLC NAND闪存
• 组织结构：内部纠错码开启时，页大小为2048字节加64字节；内部纠错码关闭时，页大小为2048字节加128字节
• 支持标准、双线、四线串行外设接口及双倍数据速率模式
• 高速时钟频率：3.3V供电时，快速读取频率最高达133兆赫兹；1.8V供电时，快速读取频率最高达104兆赫兹；3.3V供电时，四线输入输出数据传输速率最高达532兆比特每秒；1.8V供电时，四线输入输出数据传输速率最高达416兆比特每秒
• 软件或硬件写保护：可通过软件写保护全部或部分存储器；通过写保护引脚进行寄存器保护；支持掉电锁定保护
• 单电源供电：1.8V全电压范围为1.7V~2.0V；3.3V全电压范围为2.7V~3.6V
• 高级安全特性：包含8千字节一次性可编程区域
• 编程、擦除、读取速度：页编程时间典型值为400微秒；块擦除时间典型值为3毫秒；页读取时间最大值为60微秒
• 低功耗：最大工作电流为30毫安；最大待机电流为50微安
• 增强的访问性能：配备2千字节缓存，用于快速随机读取
• NAND高级特性：出厂良好块0
• 可靠性：启用纠错码时，可承受10万次编程或擦除循环；数据保持期为10年
• 内部纠错码：每528字节可纠正4比特错误