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AT25PE40-SSHN-T
4-Mbit DataFlash-L 页擦除串行闪存存储器
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25PE40-SSHN-T
- 商品编号
- C21965694
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 85MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 25uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 功能特性 | 硬件写保护；软件写保护；上电复位 |
商品概述
AT25PE40是一款最低工作电压为1.65V的串行接口顺序访问闪存，非常适用于各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。该器件还支持RapidS串行接口，以满足需要极高速运行的应用需求。其4,194,304位存储器组织为2,048页，每页256或264字节。除主存储器外，AT25PE40还包含两个SRAM缓冲区，每个大小为256/264字节。这些缓冲区允许在主存储器中的页面被重新编程时接收数据。两个缓冲区之间的交错操作可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可用作额外的系统便笺式存储器，并且通过自包含的三步读-修改-写操作，可以轻松处理E²PROM仿真（位或字节可修改性）。
与使用多地址线和并行接口进行随机访问的传统闪存不同，DataFlash-L采用串行接口顺序访问数据。这种简单的顺序访问方式显著减少了有效引脚数量，简化了硬件布局，提高了系统可靠性，最大限度地降低了开关噪声，并减小了封装尺寸。该器件针对许多商业和工业应用进行了优化，这些应用对高密度、低引脚数、低电压和低功耗至关重要。
为了便于简单的系统内重新编程，AT25PE40不需要高输入电压进行编程。该器件在1.65V至3.6V的单电源电压下运行，即可执行擦除、编程和读取操作。AT25PE40通过片选引脚（CS）使能，并通过由串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问。所有编程和擦除周期均为自定时。
商品特性
- 单一电源供电，电压范围1.65V至3.6V
- 兼容串行外设接口（SPI）
- 支持SPI模式0和模式3
- 支持RapidS操作
- 具备在整个阵列中连续读取的能力
- 最高工作频率达85MHz
- 提供低功耗读取选项，频率高达15 MHz
- 时钟到输出时间（tV）最大为6ns
- 用户可配置的页面大小
- 每页256字节（默认）
- 每页264字节（客户可选选项）
- 两个完全独立的SRAM数据缓冲区（256/264字节）
- 允许在重新编程主存储器阵列时接收数据
- 灵活的编程选项
- 字节/页编程（1至256/264字节）直接进入主存储器
- 缓冲区写入
- 缓冲区到主存储器页编程
- 单指令页读-修改-写选项
- 灵活的擦除选项
- 页擦除（256/264字节）
- 块擦除（2KB）
- 扇区擦除（64KB）
- 芯片擦除（4-Mbits）
- 128字节安全寄存器
- 128字节出厂编程有标识符
- 硬件和软件控制的复位选项
- JEDEC标准制造商和设备ID读取
- 低功耗
- 300nA超深功耗关断电流（典型值）
- 5μA深功耗关断电流（典型值）
- 25μA待机电流（典型值）
- 7mA有效读取电流（典型值）
- 耐久性：每页至少100,000次编程/擦除周期
- 数据保持：20年
- 符合完整的工业温度范围
- 绿色（无铅/无卤化物/RoHS兼容）封装选项
- 8引脚SOIC（0.150英寸宽和0.208英寸宽）
- 8焊盘超薄DFN（5 x 6 x 0.6mm）