商品参数
参数完善中
商品特性
- 模拟输出：可调8.7 mA至31.7 mA，负载电阻R_L = 25 Ω至50 Ω
- 低功耗、精细复杂的NCO允许载波放置在DAC带宽内的任何位置，同时增加的功率小于300 mW
- 辅助DAC支持I和Q增益匹配和偏移控制
- 包含可编程的I和Q相位补偿
- 内部数字上变频能力
- 多芯片同步接口
- 高性能、低噪声PLL时钟倍频器
- 数字逆sinc滤波器
- 100引脚、裸露焊盘TQFP封装
- 全尺度输出电流可在10 mA至30 mA范围内编程
- 采用0.18 μm CMOS工艺制造
- 工作电压为1.8 V和3.3 V
- 封装为100引脚TQFP
- 低噪声和互调失真（IMD）支持从基带到高中间频率的高质量宽带信号合成
- 专有的DAC输出切换技术增强动态性能
- CMOS数据输入接口，具有可调的建立和保持时间
- 低功耗32位数控振荡器（NCO）
- 可调模拟输出电流，范围从8.7 mA至31.7 mA
- 负载电阻选项为25 Ω至50 Ω
- 精细复杂的NCO用于载波放置，附加功耗极小
- 辅助DAC用于I和Q增益匹配和偏移控制
- 可编程的I和Q相位补偿
- 内部数字上变频
- 多芯片同步
- 高性能、低噪声PLL时钟倍频器
- 数字逆sinc滤波器
- 100引脚、裸露焊盘TQFP封装
- 全尺度输出电流可编程范围为10 mA至30 mA
- 0.18 μm CMOS工艺
- 工作电压为1.8 V和3.3 V
- 封装为100引脚TQFP
- 低噪声和IMD支持高质量宽带信号合成
- 专有的DAC输出切换技术
- CMOS数据输入接口，具有可调的建立和保持时间
- 低功耗32位NCO
应用领域
- 无线基础设施 W-CDMA, CDMA2000, TD-SCDMA, WiMAX, GSM
- 数字高或低中频合成
- 发射分集
- 宽带通信 LMDS/MMDS, 点对点
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