MT53E384M32D2FW-046 AIT:E
200b:x32汽车用LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E384M32D2FW-046 AIT:E
- 商品编号
- C21960319
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 12Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 40mA | |
| 刷新电流 | 1mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作，首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将该产品用作LPDDR4设备时，请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
- VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
- VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V，或低VDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V
- 超低电压核心和I/O电源
- 频率范围：2133 - 10MHz（数据速率范围：4266 - 20Mb/s/引脚）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道有8个内部存储体，用于并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道的双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
- 可编程且实时的突发长度（BL = 16, 32）
- 针对每个存储体的定向刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每个芯片最高可达8.5GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 可选的输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程的VSS（ODT）终端
- 支持单端CK和DQS
- 通过AEC - Q100认证