M45PE10-VMP6TG

1 Mbit页可擦除串行闪存，具备字节可修改能力和75MHz SPI总线接口

品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M45PE10-VMP6TG
商品编号: C21955375
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	20年
	写周期寿命	10万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	2.7V~3.6V
	工作温度	-

商品概述

M45PE10是一款通过高速SPI兼容总线访问的1Mbit（128Kb x 8位）串行页式闪存。该存储器可一次写入或编程1至256个字节，使用页写或页编程指令。页写指令包含一个集成的页擦除周期和一个页编程周期。该存储器组织为2个扇区，每个扇区包含256页。每页宽度为256字节。因此，整个存储器可视为由512页或131，072字节组成。该存储器可使用页擦除指令一次擦除一页，或使用扇区擦除指令一次擦除一个扇区。此数据手册详细介绍了M45PE10器件的功能。

商品特性

兼容SPI总线的串行接口
75MHz时钟速率（最大值）
2.7V至3.6V单电源电压
1Mbit页可擦除闪存，页大小为256字节
页写入时间11ms（典型值）
页编程时间0.8ms（典型值）
页擦除时间10ms（典型值）
扇区擦除（512Kbits）
底部扇区（64Kbytes）的硬件写保护
电子签名，JEDEC标准双字节签名（4011h）
独特ID代码（UID），16字节，仅根据客户请求在T9HX工艺中提供
深度掉电模式，典型电流1μA
超过100，000次写入周期
超过20年数据保存期
封装：ECOPACK（符合RoHS标准），SO8N（MN）150密耳宽度，VFQPN8（MP）（MLP8）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	1Mbit
	时钟频率(fc)	75MHz
	写周期时间(Tw)	-