- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS49NLC36800A-25EWBLI
Common I/O RLDRAM 2 Memory，533MHz DDR 操作，差分输入时钟，数据有效信号
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS49NLC36800A-25EWBLI
- 商品编号
- C21939752
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 动态随机存取存储器(DRAM) | |
| 功能特性 | 内置DLL；JTAG边界扫描功能 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 345mA |
商品特性
- 533MHz DDR操作（1.067Gb/s/引脚数据速率）
- 38.4Gb/s峰值带宽（在533MHz时钟频率下为x36）
- 减少周期时间（533MHz时为15ns）
- 32ms刷新（每个存储体8K刷新；每32ms必须总共发出64K刷新命令）
- 8个内部存储体
- 非复用地址（提供地址复用选项）
- SRAM型接口
- 可编程读取延迟（RL）、行周期时间和突发序列长度
- 平衡读取和写入延迟，以优化数据总线利用率
- 数据掩码信号（DM）用于屏蔽写入数据信号；DM在DK的两个边沿采样
- 差分输入时钟（CK、CK#）
- 差分输入数据时钟（DKx、DKx#）
- 片上DLL生成CK边沿对齐的数据和输出数据时钟信号
- 数据有效信号（QVLD）
- HSTL I/O（标称1.5V或1.8V）
- 25 - 60Ω匹配阻抗输出
- 2.5V VEXT、1.8V VDD、1.5V或1.8V VDDQ I/O
- 片上终端（ODT）RTT
- 符合IEEE 1149.1的JTAG边界扫描
- 工作温度：商业级（TC = 0°C至 +95°C）；工业级（TC = -40°C至 +95°C；TA = -40°C至 +85°C）
- ISL26134AV28EV1Z
- ISL28208SOICEVAL2Z
- ISL28213SOICEVAL2Z
- ISLA214IR72EV1Z
- ITA-1611-10A1E
- IW-G30D-C4CG-4E002G-E008G-LCA
- IXD1415BB32ER-G
- IXD1415CC83MR-G
- IXD1415CC86MR-G
- IXD1415CCA7ER-G
- IXD1415GG34MR-G
- IXD1415GG67ER-G
- IXD1415HH687R-G
- IXD1415HH82MR-G
- IXD1421AB03ER-G
- IXD1421AB31ER-G
- IXD1504A2617R-G
- IXD1702D251ER-G
- J035-L1C18300Q
- J318-412-T
- JA3106B-24-J2SC-R