商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CENW42、CENW43型晶体管为硅NPN外延平面晶体管，采用环氧树脂封装，适用于高压放大器应用。该系列与MPSW42、MPSW43型晶体管电气特性相当。
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CENW42、CENW43型晶体管为硅NPN外延平面晶体管，采用环氧树脂封装，适用于高压放大器应用。该系列与MPSW42、MPSW43型晶体管电气特性相当。