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32EM16-M4CTX29-8AD11引脚图
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32EM16-M4CTX29-8AD11

32EM16-M4CTX29-8AD11

描述
IC FLASH RAM 256GBIT MMC 254FBGA
商品型号
32EM16-M4CTX29-8AD11
商品编号
C21911102
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

该器件是一种多芯片封装存储器,结合了嵌入式多媒体卡和低功耗双倍数据速率动态随机存取存储器。嵌入式多媒体卡部分是采用多媒体卡接口的嵌入式闪存存储解决方案。其控制器直接管理NAND闪存,包括错误控制、磨损均衡、每秒输入输出操作优化和读取感测。该器件适用于移动通信系统的数据存储器,有助于减小印刷电路板尺寸并降低功耗。此器件采用254球倒装芯片球栅阵列封装,工作温度范围为-25℃ ~ +85℃。

商品特性

  • 将嵌入式多媒体存储与低功耗双倍数据速率动态随机存取存储器集成于单一多芯片封装内
  • 封装:联合电子设备工程委员会254球倒装芯片球栅阵列类型,尺寸为11.5×13.0×(最大1.0mm)
  • 工作温度范围:-25℃ ~ +85℃
  • 采用符合嵌入式多媒体卡5.1接口规范的封装管理型NAND闪存
  • 向后兼容所有先前的嵌入式多媒体卡规范修订版
  • 工作电压范围:VCCQ = 1.8V,VCC = 3.3V
  • 工作温度(外壳温度)-25℃ ~ +85℃,存储温度-40℃ ~ +85℃
  • 符合联合电子设备工程委员会嵌入式多媒体卡5.1标准
  • 支持高速嵌入式多媒体卡协议,可变时钟频率0~200MHz
  • 十线总线接口(时钟、1位命令、8位数据总线),可选硬件复位
  • 支持三种不同的数据总线宽度:1位(默认)、4位、8位
  • 支持单倍数据速率(最高52MB/s)、双倍数据速率模式(最高104MB/s)、高速单倍数据速率模式(最高200MB/s)、高速双倍数据速率模式(最高400MB/s)
  • 支持备用引导操作模式以提供简单的引导序列方法
  • 支持睡眠/唤醒命令,主机可发起显式睡眠模式以节省功耗
  • 增强型写保护,提供永久和部分写保护选项
  • 具有增强属性的多用户数据分区,以提高可靠性
  • 采用循环冗余校验确保可靠命令和数据通信
  • 内部纠错码提高数据存储完整性
  • 内部增强数据管理算法
  • 针对编程操作期间突然断电的数据保护
  • 安全块擦除命令
  • 掉电通知
  • 现场固件更新
  • 生产状态感知
  • 设备健康报告
  • 命令队列
  • 增强型选通
  • 缓存刷新报告
  • 缓存屏障
  • 后台操作控制与高优先级中断
  • 重放保护内存块吞吐量改进
  • 安全写保护
  • 寿命终止前信息
  • 优化大小

数据手册PDF