商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 集电极电流(Ic) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- PNP晶体管：
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -12V
- 连续集电极电流（IC） = -4A
- 低饱和电压（在 -1A 时，最大 -140mV）
- 饱和电阻（RSAT） = 65 mΩ，等效导通电阻低
- 电流增益（hFE）特性可达 -10A，大电流增益保持能力强
- 肖特基二极管：
- 反向击穿电压（BVR）> 40V
- 平均正向峰值电流（IFAV） = 3A
- 正向压降（VF）低，< 500mV（在1A时），降低功率损耗
- 基于肖特基势垒，开关速度快
- 封装厚度低至0.8mm，适用于轻薄应用
- 热阻（RθJA）性能高效，比SOT26低40%
- 占位面积6mm²，比TSOP6和SOT26小50%
- 完全无铅，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件