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2SD1664 DAR
NPN 电流:1A 电压:32V
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- 描述
- 特性：低饱和电压：VCE(m) = 0.15V（典型值）（Ic / Ib = 500mA / 50mA），PC = 0.5W。 与2SB1132互补。应用：NPN硅晶体管
- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- 2SD1664 DAR
- 商品编号
- C21882710
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 390 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@500mA,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |